不锈钢抛光液
名称:深圳晶材化工有限公司
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JC-00系列产品是深圳晶材化工有限公司生产的纳米抛光液,采用纳米技术和超分散设备合成的CMP浆料。产品分别适用于铝合金镜面抛光,不锈钢镜面抛光,大理石和石材精抛工艺。
主要特点
JC-00系列产品具有表面张力低、易清洗、抛光速率高、抛光镜面粗糙度低等特点,非常适用于不锈钢的抛光工艺。直接效果达到不锈钢镜面的光线散射减弱,成像更清晰;水纹现象减弱或消除;本品具抛光及钝化功能,适用于对不锈钢表面要求高度镜面效果的产品。在抛光中根据需要可以优化不同配比,均能达到*佳使用效果。
JC-00系列产品综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的*有效方法。
主要用途
JC-005H主要应用于不锈钢的抛光工艺中。
JC-003H主要用于铝合金镜面抛光工艺;
JC-001H主要用于大理石精抛工艺;
基本参数:
pH值 8.5~9.5
比重 1.280-1.295
粘度(稀释后)< 10.0(mPa.s)
磨料粒径 100~120(nm)
磨料浓度 40±2%
使用方法
根据工艺将抛光原浆料按一定比例与去离子水混合后使用;根据抛光设备和抛光切削度合理使用抛光液浓度。
运输及保存
1、运输与存放过程中要避免光直射。
2、运输与存放温度为5℃~50℃。
3、保质期一年,建议半年内使用。
包装规格 25Kg/桶
化学机械抛光
这两个概念主要出现在半导体加工过程中,*初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的*有效方法。
制作步骤
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:
(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。
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